в 1959 году Роберт Нойс и Гордон Мур из Fairchild Semiconductor подали патентную заявку на изобретение интегральной схемы.
Впервые идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника выдвинул британский радиотехник Джеффри Даммер в 1952 году. Однако технологии на тот момент были еще недостаточно развиты.
Нойсу и Муру это удалось, однако справедливости ради заметим, что они были не единственными. Собственно, они изобрели способ электрического соединения компонентов ИС (металлизация алюминием) и предложили новый способ их изоляции. Курт Леговец из Sprague Electric Company также изобрел способ электрической изоляции компонентов (изоляция p-n-переходом). А Джек Клиби из Texax Instruments запатентовал сами принципы интеграции и создал первые прототипы ИС.
