в 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн из Bell Labs начали серию экспериментов, которая привела к созданию первого биполярного транзистора

Сразу определимся: транзистор – это полупроводниковый элемент с тремя выводами, позволяющий управлять током в цепи с помощью входного сигнала. Он используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Иными словами, благодаря транзистору небольшое усиление сигнала на входе приводит к существенно большему изменению выходного напряжения и тока.

Необходимость создания такого радиоэлектронного компонента была очевидна еще в начале XX века. Однако развитие фундаментальной науки не не позволяло это сделать

Во время 2-й мировой войны выяснилось, что из-за низких рабочих частот распространенные тогда вакуумные лампы бессильны в двух важнейших направлениях: детектирование инфракрасного излучения и отражённого сигнала в радиолокации.

В июне 1945 при Bell Labs был создан отдел по исследованию твёрдого тела. До 1947 года велись эксперименты с полупроводниками из кремния и германия, и с каждым разом Шокли, Бардин и Браттейн всё ближе подходили к решению проблемы с усилением сигнала.

Наконец, 17 ноября было предложено отделить управляющий электрод от массы полупроводника слоем электролита. Наконец, экспериментальные образцы начали работать.

В декабре испробовали двухслойную структуру: пластину германия, на поверхности которой был сформирован p-n-переход с высоким напряжением пробоя. Затем попробовали заменить электролит на тонкую пленку окиси германия. И наконец, Бардин предложил использовать два контактных электрода — управляющий (эмиттер) и управляемый (коллектор).

16 декабря Бардин сконструировал первый работоспособный транзистор: пластмассовую треугольную призму с наклеенной на неё полоской золотой фольги, аккуратно разрезанной бритвой, то есть с зазором между коллектором и эмиттером. Устройство начинало работать, когда контактный узел прижимали зазором к поверхности германиевой пластины.

23 декабря Братейн продемонстрировал на частоте 10 МГц усиление 20 дБ при выходной мощности 25 мВт.

После такого успеха открытие ненадолго засекретили. Публика узнала об этом изобретении 30 июня 1948 года на открытой презентации транзистора в Нью-Йорке.

В 1956 году за изобретение транзистора Шокли, Бардин и Браттейн получили Нобелевскую премию по физике.

Очень скоро быстро развивавшиеся транзисторы начали вытеснять вакуумные лампы в большинстве электронных устройств. Когда в конце 50-х удалось расположить на одной полупроводниковой подложке сразу множество транзисторов и других элементов, началась цифровая революция. В 1960 году Fairchild Semiconductor представила первую интегральную схему.